Дислокационная электропроводность в германии и кремнии

• Автор: Шевченко, Светлана Антоновна
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2004
• Место защиты: Черноголовка
• Количество страниц: 221 с. : ил.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ
ПРЕДИСЛОВИЕ
ГЛАВА 1. Структура и свойства дислокаций в ковалентных полупроводниках (обзор)
1.1. Структура дислокаций в германии и кремнии
1.2. Дислокационные состояния в германии и кремнии (теория)
1.3. Статистика заполнения дислокационных состояний
1.4. Результаты экспериментальных исследований пластически деформированного германия
1.4.1. Электропроводность и эффект Холла в пластически деформированном германии
1.4.2. Фотопроводимость пластически деформированного германия
1.4.3. Фотолюминесценция в пластически деформированном германии
1.4.4. Оптическое поглощение в пластически деформированном германии
1.5. Результаты экспериментального исследования дислокационных состояний в кремнии
1.6. Заключение к главе 1
ГЛАВА 2. Техника эксперимента
2.1. Приготовление пластически деформированных кристаллов для исследований
2.2. Экспериментальные методы исследования пластически деформированных кристаллов германия и кремния
ГЛАВА 3. Проводимость свободными носителями тока в пластически деформированном германии
3. Почечные дефекты в пластически деформированных кристаллах
3.2. Электропроводность свободными электронами и эффект Холла в германии п-типа с 60° дислокациями
3.3. Фотопроводимость в германии п-типа с 60° дислокациями
3.4. Эффект Холла в германии р-типа
3.5. Выводы к главе 3
ГЛАВА 4. Фотолюминесценция в кристаллах германия в присутствии 60°дислокаций
4.1. Спектры фотолюминесценции в кристаллах с «равновесной» дислокационной структурой
4.2. Обсуждение электронного спектра 60° дислокаций в германии
4.3. Выводы к главе 4
ГЛАВА 5. Дислокационная электропроводность в германии
5.1. СВЧ проводимость в кристаллах германия с 60° дислокациями
5.2. Структура пластически сильно деформированных кристаллов германия
5.3. Статическая электропроводность и эффект Холла в пластически сильно деформированных кристаллах германия
5.4. Магнитосопротивление пластически сильно деформированных кристаллов германия
5.5. Выводы к главе 5
ГЛАВА 6. Электронные свойства кремния после деформации при температурах выше 1000 °С

следовало изучить электронные свойства этой дислокации с помощью экспериментов, в которых бы проявилась ее специфика как протяженного дефекта при минимально возможном влиянии других дефектов. К началу исследований, результаты которых представлены в данной диссертации, уже был известен метод приготовления кристаллов кремния, содержащих параллельные 60° дислокации [124,125]. Это открывало возможность для исследования анизотропии гальваномагнитных свойств германия в присутствии параллельных рядов 60° дислокаций, но требовало изучения свойств точечных дефектов, которые могли генерироваться в процессе пластической деформации. Возможность существования нескольких одномерных зон, обусловленных этими дислокациями, указывала на необходимость применения гальваномагнитных, фотоэлектрических и оптических методов исследования кристаллов с разной плотностью дислокаций, введенных при одинаковых условиях. Представлялось важным обнаружить проводимость носителей тока, захваченных на дислокации, как одно из проявлений зонного характера дислокационных состояний. В таких экспериментах могла бы проявиться предсказываемая теоретически разная вероятность реконструкции 90° частичной дислокации в составе расщепленной 60° дислокации в германии и кремнии. Цель и задачи исследований, выполненных в данной диссертации, изложены на стр. 8.