Тормозное излучение электронов, проходящих через слой рассеивающих центров в квазиоднородном квазистационарном электрическом поле

• Автор: Бондарева, Татьяна Валерьевна
• Шифр специальности: 01.04.05
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2010
• Место защиты: Хабаровск
• Количество страниц: 114 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР
1.1. Некоторые элементы квантовой теории излучения
1.2. Сечение тормозного излучения частицы во внешнем поле в первом борновском приближении
1.3. Тормозное излучение электронов в кулоновом поле рассеивающего центра
1.4. Тормозное излучение при рассеянии заряженных частиц во внешнем электрическом поле
ГЛАВА 2. НЕПОЛЯРИЗОВАННОЕ ТОРМОЗНОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ, ПРОХОДЯЩИХ ЧЕРЕЗ СЛОЙ РАССЕИВАЮЩИХ ЦЕР1ТРОВ, НАХОДЯЩИХСЯ В ОДНОРОДНОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ
2.1. Постановка задачи
2.2. Анализ сечения поляризованного тормозного излучения заряженных частиц, проходящих через слой рассеивающих центров, находящихся в однородном электрическом поле
2.3. Анализ сечения неполяризованного тормозного излучения заряженных частиц, проходящих через слой рассеивающих центров, находящихся в однородном электрическом поле
2.4. Выводы
ГЛАВА III. ТОРМОЗНОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ, ПРОХОДЯЩИХ ЧЕРЕЗ УПОРЯДОЧЕННУЮ СТРУКТУРУ РАССЕИВАЮЩИХ ЦЕНТРОВ ЭЛЕКТРОНОВ, УСКОРЯЕМЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ПОЛЕМ, И ОТРАЖАЮЩИХСЯ В КОНЕЧНОМ СОСТОЯНИИ ОТ ЕГО ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА
3.1. Волновые функции и сечения задачи

3.2. Анализ сечения тормозного излучения, проходящих через упорядоченную структуру рассеивающих центров электронов, ускоряемых электрическим полем, и отражающихся в конечном состоянии от его потенциального барьера
3.3. Выводы
ГЛАВА IV. НЕПОЛЯРИЗОВАННОЕ ТОРМОЗНОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ, ПРОХОДЯЩИХ ЧЕРЕЗ УПОРЯДОЧЕННУЮ СТРУКТУРУ РАССЕИВАЮЩИХ ЦЕНТРОВ ВО ВНЕШНЕМ ПОЛЕ, ПРИ ИХ ПАДЕНИИ НА ЕГО ПОТЕНЦИАЛЬНЫЙ БАРЬЕР
4.1. Основные положения
4.2. Анализ сечения поляризованного тормозного излучения заряженных частиц, проходящих через упорядоченную структуру рассеивающих центров во внешнем поле, при их падении на его потенциальный барьер
4.3. Анализ сечения неполяризованного тормозного излучения заряженных частиц, проходящих через упорядоченную структуру рассеивающих центров во внешнем поле, при их падении на его
потенциальный барьер
4.4. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
ВВЕДЕНИЕ
Актуальность исследований
В результате появления квантовых генераторов способных создавать интенсивное электромагнитное поле, с середины двадцатого века возник интерес к процессам, связанным с взаимодействием такого поля с веществом. В частности такими процессами являлись: воздействие интенсивного лазерного излучения на частицы плазмы, на молекулы, атомы и ионы, что привело к открытию многофотонной ионизации и тормозного излучения частиц плазмы в поле электромагнитной волны [1] — [43]. В таких исследованиях было установлено, что при фотоионизации, фоторасщеплении атомов и отрицательных ионов [44] - [48], при упругих и неупругих столкновении заряженных частиц друг с другом также и во внешнем однородном электрическом поле [49] - [52], даже слабом по сравнению с атомным, дифференциальные сечения таких процессов отличаются (от подобных сечений в отсутствие внешнего поля) появлением осцилляций, например, по энергии поглощаемых фотонов (при фотоионизации или фоторасщеплении атомов и ионов), а также от углов рассеяния и вылета первичного и вторичного электронов (при упругом и неупругом рассеянии электронов на водородоподобном атоме). В 1994г. в работе [53] было показано, что осцилляции могут возникать и в сечении тормозного излучения при рассеянии заряженных частиц друг на друге в однородном электрическом поле. В работах [54] - [58] исследования, проведенные в [53] получили дальнейшее развитие, заключающееся в том, что учитывалось воздействие электрического поля не только на конечное состояние излучаемых фотоны частиц, но и на их начальное состояние.
Однако в этих работах предполагалось, что изменение сечений тормозного излучения в основном связано с перераспределением средней плотности заряда электронов, вызванное отражением их от потенциального барьера внешнего квазиоднородного квазистационарного электрического

частицы, т. е., при 2> — Ь), если _Е,у и Е21>е£Ьх. Физически это означает, что такие частицы не отражаются от потенциального барьера внешнего поля. Тем самым в этой главе мы исключаем из рассмотрения рождение фотонов, происходящих при переходах рассеянных частиц в состояния, в которых они отражаются от потенциального барьера однородного поля (такие переходы будут рассмотрены в третьей и четвертой главах).
Во избежание недоразумения отметим, что в настоящей работе энергию падающих на слой электронов считаем везде значительно больше чем энергия электронов, определяющих вышеупомянутый размытый отрицательный заряд в слое. Поэтому обменными эффектами можно пренебречь (см., например, [75]). Подставим волновые функций (2.1.1) в матричный элемент (1.2.24), получим:
О, если г>Ы2.
VIIе определяет силу, создаваемую полем “размазанными” по слою его электронами, действующую на рассеивающие частицы. Величину Ь считаем подгоночными параметром, определяющим эффективное взаимодействие падающих на слой электронов с отрицательным зарядом слоя. Эту величину выбираем порядка 10а (а = Ь2 /(тее2)), это приблизительно то расстояние, на котором поле монослоя практически равно нулю и слабо влияет на движение рассеивающихся электронов.
(2.1.2)
V1 *,-• ге
где II = - 21 2 гг..-—г; N = - число рассеивающих центров в слое,
г — У
_ Л .. _ Л ' ‘ и. п. I
0, если г < Ъ / 2,
У[/е=-(0, 0, - 4^е2г/(Ьх1уЬ)), если ге(-Ы2, Ы2),