Магнитостатические волны в пленочных структурах сверхпроводник/феррит

• Автор: Семенов, Александр Анатольевич
• Шифр специальности: 01.04.03
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2001
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 161 с. : ил

СОДЕРЖАНИЕ

ОСНОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ
ВВЕДЕНИЕ
1. СОВРЕМЕННЫЕ ДОСТИЖЕНИЯ В РАДИОФИЗИКЕ И ЭЛЕКТРОНИКЕ СТРУКТУР СВЕРХПРОВОДНИК/ФЕРРИТ
1.1.Магнитостатические волны в ферромагнитных средах
1.2.Сверхпроводниковые купраты: структура,
электрофизические характеристики, пленочная технология
1.3.Методы аналитической диагностики сверхпроводниковых
пленок и слоистых структур феррит-сверхпроводник
1.4.Радиофизические исследования слоистой структуры феррит-сверхпроводник
Выводы по главе
2. ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЛНОВЫХ ПРОЦЕССОВ В
СТРУКТУРЕ СВЕРХПРОВОДНИК-ФЕРРИТ
2.1.Электродинамическая модель процесса распространения
МСВ вдоль границы УЮ/УВСО
2.2.Измерительная установка и методика построения
дисперсионных характеристик
2.3.Экспериментальные исследования волновых процессов
в структурах сверхпроводник-феррит
Выводы по главе
3. ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ДИАГНОСТИКА
СВЕРХПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУР
3.1 .Схема технологического процесса изготовления
криоэлектронного компонента на основе сверхпроводниковых
УВСО пленок
3.2.Диагностика структуры и состава ВТСП пленок

3.3.Исследование зависимости СВЧ поверхностного сопротивления пленок УВСО от структуры
и толщины
Выводы по главе
4. ИССЛЕДОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ И ПРОСТРАНСТВЕННЫХ НЕОДНОРОДНОСТЕЙ В СВЕРХПРОВОДЯЩИХ МИКРОПОЛОСКАХ
4.1.Исследование пространственных неоднородностей сверхпроводящих пленок методом магнитооптической микроскопии
4.2.Методика расчета электрических параметров сверхпроводящих пленок на основе магнитооптических изображений
4.3.Определение критических параметров ВТСП пленок на
основе магнитооптических изображений
Выводы по главе
5. ВЛИЯНИЕ ПАРАМЕТРОВ УВСО ПЛЕНОК НА ХАРАКТЕРИСТИКИ СВЧ УСТРОЙСТВ НА ОСНОВЕ
СТРУКТУРЫ СВЕРХПРОВОДНИК-ФЕРРИТ
5.1.Определение СВЧ поверхностного сопротивления и
глубины проникновения магнитного поля
5.2.Групповая скорость и фазовый набег МСВ в слоистых
структурах сверхпроводник-феррит
5.3.Передаточные характеристики СВЧ приборов со сверхпроводящих преобразователями и экранами на поверхностных МСВ
Выводы по главе

Публикации по теме диссертации
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
ПРИЛОЖЕНИЕ

Количественный рентгеноспектральный микроанализ (КРСМА) применяется для определения содержания компонентов в пленках и их толщины. Для анализа наиболее пригодны следующие линии характеристического рентгеновского излучения: YLa, BaLo, СиКа, CuLa и ОКа, интенсивность которых измеряется относительно эталонного уровня. Измерения проводятся с пространственным разрешением приблизительно 2-3 мм [67].
Метод напряжения, индуцированного электронным зондом (НИЭЗ) применяет режим РЭМ, и регистрацию напряжения и тока, индуцированных электронным зондом [14,68-70]. Если через образец протекает постоянный ток, то локальное воздействие электронного зонда приводит к изменению напряжения, падающего на образце. При этом параметры отклика определяются электрофизическими свойствами облучаемого зондом участка. Сигнал, получаемый таким образом, носит название напряжения, индуцированного электронным зондом (НИЭЗ).
Методика измерения НИЭЗ (EBIV - electron beam induced voltage) [14] основана на хорошо разработанной диагностике электронно-микроскопического потенциального контраста, которая позволяет с высокой локальностью выявлять в образце области с различной проводимостью. Низкотемпературный потенциальный контраст ранее успешно применялся для традиционных сверхпроводников, а затем получил широкое развитие для ВТСП пленок в ряде лабораторий (см. например, [69,70]) и в ФТИ РАН на микроскопе "CamScan" - 4-88 DV100, оборудованном системой охлаждения образца ITC-4 и малошумящим предусилителем напряжения [70,71].
Принцип действия метода ЕМЭЗ состоит в том, что в месте падения пучка электронов возникает локальное увеличение температуры (на величину порядка одного Кельвина) и, как следствие, локальное увеличение сопротивления разогретого участка. Это приводит к появлению избыточного напряжения на контактах. По амплитуде сигнала можно судить о разогреве области образца и о его переходе в нормальное состояние, что дает возможность измерения критических параметров сверхпроводящих пленок -Тс, jс [71]. На одних и тех же участках образца, со