+
Действующая цена700 499 руб.
Товаров:
На сумму:

Электронная библиотека диссертаций

Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО

Расширенный поиск

Многокомпонентные нанокомпозиты на основе SnO2:Y2O3,SnO2:SiO2 и их электрофизические и газочувствительные свойства

  • Автор:

    Русских, Елена Алексеевна

  • Шифр специальности:

    05.27.01

  • Научная степень:

    Кандидатская

  • Год защиты:

    2013

  • Место защиты:

    Воронеж

  • Количество страниц:

    137 с. : ил.

  • Стоимость:

    700 р.

    499 руб.

до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. СОВРЕМЕННЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ О СТРОЕНИИ И ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИХ СВОЙСТВАХ ДИОКСИДА ОЛОВА И НАНОКОМПОЗИТОВ НА ЕГО ОСНОВЕ
1.1. Атомная структура и строение кристаллической решетки 8п02.
1.2. Физико-химические свойства диоксида олова
1.3. Спектр энергий на поверхности металлооксидных
полу проводни ков
1.4. Модели газовой чувствительности
1.5. Механизмы протекания тока в тонких пленках диоксида
олова
1.5.1. Закон Ома и токи, ограниченные пространственным зарядом (ТОПЗ)
1.5.2. Эффект Шоттки
1.5.3. Эффект Пула-Френкеля
1.5.4. Механизмы туннельного прохождения электронов
1.6. Влияние легирования на микроструктуру и газочувствительные свойства пленок диоксида олова
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ
ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ И ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ СВОЙСТВ ПЛЕНОК 8п02:У203 И ТЕСТОВЫХ СТРУКТУР ДАТЧИКОВ ГАЗОВ НА ОСНОВЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК 8п02:8і
2.1. Изготовление пленок - композитов 8п02:У203 методом ионно-лучевого распыления
2.2. Изготовление чувствительных элементов тестовых структур датчиков газов методом реактивного магнетронного распыления
2.3. Конструкция и изготовление тестовых структур датчиков газа

2.4. Измерение толщины пленок
2.5. Измерение электрических параметров пленок
2.5.1. Температурные зависимости электрических параметров и измерение сопротивления с помощью четырехзондового метода
2.5.2. Измерение сопротивления с помощью метода Ван-дер-Пау
2.5.3. Измерение электрических параметров пленок с помощью эффекта Холла
2.6. Методы исследования структуры металлооксидных композитов на основе диоксида олова
2.6.1. Исследование структуры пленок-композитов с помощью рентгеновского микроанализа
2.6.2. Исследование морфологии пленок - композитов с помощью атомно-силового микроскопа
2.6.3. Метод просвечивающей электронной микроскопии
2.7. Термостабилизация пленок - композитов 8п02:У
2.8. Термостабилизация электрических параметров тестовых структур микроэлектронного датчика газа
2.9. Методика исследования газовой чувствительности пленок-композитов и тестовых структур датчиков газа
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ
ГЛАВА 3. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ
СВОЙСТВА ПЛЕНОК - НАНОКОМПОЗИТОВ 8п02:У
3.1. Состав пленок - композитов 8п02:У
3.2. Термостабилизация пленок-нанокомпозитов 8п02:У
3.3. Морфология пленок - композитов 8п02:У
3.4. Исследование температурных зависимостей электрических параметров пленок - композитов 8п02:У
3.5. Исследование электрических параметров композитов Sn02:Y203
3.6. Газовая чувствительность пленок-композитов Sn-Y-О к парам различных веществ в воздухе
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ
ГЛАВА 4. ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ СВОЙСТВА ТЕСТОВЫХ СТРУКТУР ДАТЧИКОВ ГАЗА НА ОСНОВЕ Sn02: Si
4.1. Термостабилизация электрических параметров тестовых структур датчиков газа
4.2. Электрофизические характеристики сенсорных слоев датчиков газа
4.3. Исследование газовой чувствительности сенсорных слоев датчиков газа с помощью вольт-амперных характеристик
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
ПРИЛОЖЕНИЕ

где к - постоянная Больцмана; Т[Г высота потенциального барьера в контакте; иЧ',- работы выхода металла и полупроводника соответственно; с - высокочастотная диэлектрическая проницаемость полупроводника; N<1 - концентрация ионизированных донорных примесей (для полупроводника п-типа). Видно, что для достаточно больших напряжений ток через барьер пропорционален У1/4.
Таким образом, линейность ВАХ в координатах 1пЭ-л/к и ее сильная зависимость от температуры является характерной особенностью эмиссии Шоттки [31]:
3 ~Т~ ехр
соп.чI ~Т~
(1.25)
1.5.3. Эффект Пула-Френкеля
Эффектом Пула-Френкеля (термоионизацией под влиянием электрического поля) называют снижение барьера кулоновского потенциала при воздействии электрического поля. Этот процесс является аналогом эффекта Шоттки для объема. Теория этого явления впервые была предложена Я.И. Френкелем, ее суть заключается в следующем: привязанный к локальному уровню электрон находится в потенциальной яме по отношению к зоне проводимости.
Допускается, что потенциал, окружающий центр, не содержит экранирующего фактора и является чисто кулоновским. Потенциальная энергия
электрона в кулоновском поле имеет вид . Наложение внешнего электрического поля деформирует потенциальный барьер, при этом минимальная работа выхода электрона уменьшается по направлению поля. Полную потенциальную энергию можно определить по формуле

Рекомендуемые диссертации данного раздела

Время генерации: 0.091, запросов: 967