+
Действующая цена700 499 руб.
Товаров:
На сумму:

Электронная библиотека диссертаций

Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО

Расширенный поиск

Полупроводниковые микроэлектромеханические системы датчиков давления с улучшенными техническими характеристиками

  • Автор:

    Москалев, Сергей Александрович

  • Шифр специальности:

    05.13.05

  • Научная степень:

    Кандидатская

  • Год защиты:

    2013

  • Место защиты:

    Пенза

  • Количество страниц:

    142 с. : ил.

  • Стоимость:

    700 р.

    499 руб.

до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы


Содержание
Введение
1 Анализ современного состояния разработок и исследований в области создания полупроводниковых МЭМС датчиков давления. Постановка задач исследования
1.1 Анализ конструктивно-технологических методов изготовления полупроводниковых МЭМС датчиков давления
1.2 Анализ тенденций развития датчиков давления на базе
полупроводниковых МЭМС
1.3 Анализ современного состояния разработок датчиков давления на базе полупроводниковых МЭМС
1.4 Анализ методик расчёта полупроводниковых МЭМС датчиков давления
1.5 Результаты и выводы по главе
2 Теоретические и экспериментальные исследования функционирования полупроводниковых МЭМС при воздействии давления
2.1 Функция преобразования полупроводниковых МЭМС датчиков давления
2.2 Исследование функционирования полупроводниковых МЭМС при воздействии давления
2.2.1 Моделирование процессов преобразования давления в профилированном кристалле с мембраной квадратной формы без жесткого центра
2.2.2 Моделирование процессов преобразования давления в профилированном
кристалле с мембраной квадратной формы и жестким центром
2.3 Результаты и выводы по главе
3 Разработка математических моделей профилированных кристаллов
полупроводниковых МЭМС датчиков давления
3.1 Определение параметров профилированных кристаллов полупроводниковых МЭМС, обеспечивающих расположение тензорезисторов а областях с максимальными относительными деформациями
3.2 Определение параметров профилированных кристаллов полупроводниковых

МЭМС, обеспечивающих расположение тензорезисторов в областях с равными по абсолютной величине относительными деформациями
3.3 Методика расчета полупроводниковых МЭМС, обеспечивающая проектирование датчиков давления повышенной чувствительности, линейности
3.4 Результаты и выводы по главе
4 Разработка и экспериментальное исследование полупроводниковых

4.1 Технические решения полупроводниковых МЭМС датчиков давления, обеспечивающие повышенную точность измерения
4.2 Сопоставление экспериментальных данных с результатами исследования
4.3 Результаты и выводы по главе
Заключение
Список сокращений и условных обозначений
Список литературы
Приложение А (обязательное). Перечень патентов, направленных на решение
определенных задач
Приложение Б (обязательное). Алгоритм, реализующий разработанную методику
проектирования
Приложение В (обязательное). Программная реализация разработанной
методики проектирования
Приложение Г (справочное). Результаты градуировки МЭМС датчиков
ДАЭ 110 и ИФМДТ

ВВЕДЕНИЕ
Актуальность работы.
Повышение качества и надежности информационно-измерительных и управляющих систем ракетно-космической и авиационной техники, атомной промышленности, автомобилестроения, медицины и других неразрывно связано с совершенствованием датчиков различных физических величин. Особое место среди них занимают датчики давления, поскольку около 60 % измеряемых параметров связано с давлением.
В России действуют более 40 предприятий, выпускающих датчики давления. В числе лидеров такие отечественные предприятия, как ОАО «НИИФИ» (г. Пенза), ПГ «Метран» (г. Челябинск), НПП «Элемер» (г. Зеленоград), ЗАО «НПК ВИП» (г. Екатеринбург), «БД Сенсоре РУС»
(г. Москва), ПГ МИДА (г. Ульяновск), ЗАО «Орлэкс» (г. Орел), МИЭТ (г. Москва), ОАО Энгельское опытно-конструк-торское бюро «Сигнал» им. А. И. Глухарева (г. Энгельс, Саратовская обл.). К ведущим зарубежным производителям датчиков давления можно отнести Honeywell International, Inc. (США); Kulite Semiconductor Products (США); Kyowa Electronic Instruments Co., Ltd. (Япония), Motorola (США), Druck (Англия) и ряд других компаний. [1].
История развития полупроводниковых датчиков давления во многом связана с решением задач повышения точности и надежности. Об этом свидетельствует большое количество работ, опубликованных различными авторами и научными коллективами.
Решению проблем улучшения характеристик датчиков посвящены работы E. М. Белозубова, В. А. Васильева, В. И. Ваганова, И. В. Волохова, 3. Ю. Готры, В. А. Гридчина, В. В. Грищенко, Е. А. Мокрова, А. А. Папко, В. М. Стучебникова, В. А. Тихоненкова, А. И. Тихонова, R. G. Jackson, J. Fraden, A. D. Kurtz и др.
Однако в существующих работах недостаточное внимание уделено вопросам расчета полупроводниковых микроэлектромеханических систем (МЭМС) датчиков давления, повышения точности (чувствительности, линейности) путем оптимизации конструктивных параметров МЭМС. Известные

2 ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ФУНКЦИОНИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ мэмс ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ДАВЛЕНИЯ
2 Л Функция преобразования полупроводниковых МЭМС датчиков давления
Функция преобразования - это функциональная зависимость выходной величины от входной, описываемая аналитическим выражением или графиком [49,50].
Для построения функции преобразования рассмотрим полупроводниковые МЭМС датчиков давления как цепь измерительных преобразователей измеряемой величины (давления) в выходной сигнал [48, 49]. На рисунке 11 представлена структурная схема полупроводниковой МЭМС датчика давления.
Рисунок 11 - Структурная схема полупроводниковой МЭМС датчика давления
Как видно из данной структурной схемы, МЭМС состоит из отдельных последовательных измерительных преобразователей измеряемой величины (давления) в выходной сигнал, выполняющих следующие функции:
- измеряемое давление Р воздействует на упругий элемент, с помощью которого преобразуется в деформацию е;
- деформация упругого элемента 8 с помощью сформированных на нем тензорезисторов преобразуется в относительное изменение сопротивления тензорезисторов 8«;
- изменения сопротивлений тензорезисторов с помощью измерительной цепи, в которую они объединены, преобразуются в изменение величины выходного сигнала С/вых.
Для структурной схемы, представленной на рисунке 11 коэффициент преобразования датчика в целом определяется простым перемножением функций

Рекомендуемые диссертации данного раздела

Время генерации: 0.099, запросов: 967